国内厂家供应电子级高纯三氯氧磷
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产品属性：
| 价格： | ￥3000 元 10 |
|---|---|
| 供货总量： | 1000 |
| 所在地： | 广东深圳市 |
| 产品规格： | 1.5L |
| 包装说明： | 石英瓶 |
| 品牌： | leadmat |
详细信息
电子级三氯氧磷
一、分子式：POCl3
二、分子量：153.35
三、理化性质:
无色透明挥发性液体，具有强烈的刺激性气味。易水解于潮湿的空气中，生成磷酸和盐酸。熔点为1.25℃，沸点为102℃，相对密度为1.675。蒸发热33.7kJ/mol。接近300℃时，仍很稳定。遇到大量水时会发生爆炸。有毒性和腐蚀性。
四、用途:
主要用于芯片的N型掺杂，是制作集成电路、太阳能电池、光纤预制棒、分离器件等的液态磷源，是芯片制程中必须的电子化学品，同时电子级三氯氧磷也是制作高纯磷酸酯的原料。
CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /AtomicLayer Depostion )化学气相沉积材料
Dielectrics PMD/IMD | TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB |
Low K Dielectrics | 4MS ,OMCATS |
High K Dielectrics | TAETO (Ta2O5 Precursor ) TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor) TMA (Al2O3 Precursor) |
Metal Gate and Interconnect Metal | TDMAT (TiN Precursor ) TiCl4 ( Ti /TiN Precursor ) |
Low-Temp Nitride/Oxide | HCDS |
Diffusion | POCl3 |
供应半導體化學氣相沉積材料，專業研發及製造各種先進 CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料。
CVD Precursor(化学气相沉积材料)
TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB
TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material
TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等。
高纯三氯氧磷,三氯氧磷,电子级三氯氧磷
