工厂供应高纯电子级反式-1,2-二氯乙烯DCE
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产品属性：
| 价格： | ￥7500 元 10 |
|---|---|
| 供货总量： | 1000 |
| 所在地： | 广东深圳市 |
| 产品规格： | 1.5L |
| 包装说明： | 石英瓶 |
| 品牌： | leadmat |
详细信息
电子级反式-1，2-二氯乙烯/DCE/TRANS-LC（DCE）
名称 | 反式-1,2-二氯乙烯/DCE/ TRANS-LC |
化学式 | C2H2Cl2 |
相对分子量 | 96.94 |
CAS号 | 156-60-5 |
理化性质 | 无色略带刺激气味液体，熔点－57℃，沸点48℃，密度1.265g/ml。易燃，其蒸气与空气可形成爆炸性混合物。与氧化剂能发生强烈反应。与酸碱需隔离存放。 |
主要用途:
高纯度氯源，主要用于晶圆制造过程中加快硅片氧化和清洗炉管。是半导体、分立器件、微机电系统（MEMS）、光伏制造业所需的电子化学品。
CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /AtomicLayer Depostion )化学气相沉积材料
Dielectrics PMD/IMD | TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB |
Low K Dielectrics | 4MS ,OMCATS |
High K Dielectrics | TAETO (Ta2O5 Precursor ) TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor) TMA (Al2O3 Precursor) |
Metal Gate and Interconnect Metal | TDMAT (TiN Precursor ) TiCl4 ( Ti /TiN Precursor ) |
Low-Temp Nitride/Oxide | HCDS |
Diffusion | POCl3 |
供应半導體化學氣相沉積材料，專業研發及製造各種先進 CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料。
CVD Precursor(化学气相沉积材料)
TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB
CVD Precursor(化學氣相沉積材料)
TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material
TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等.
