厂家销售半导体行业用电子级高纯三溴化硼
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产品属性：
| 价格： | ￥4000 元 10 |
|---|---|
| 供货总量： | 1000 |
| 所在地： | 广东深圳市 |
| 产品规格： | 1.5L |
| 包装说明： | 石英瓶 |
| 品牌： | leadmat |
详细信息
电子级三溴化硼
一、分子式：BBr3
二、分子量：250.5
三、理化性质:
三溴化硼具有强烈刺激性臭味，常温下为无色或稍带黄色的发烟液体。相对密度2.64，熔点-46℃，沸点91.7℃。溶于四氯化碳，吸水性强，易被水和醇等分解。见光、遇热易分解，受热可能爆炸，接触空气会冒出白烟。为强路易氏酸，能与碱反应形成络合物和加成物。有强刺激作用，腐蚀性较强，蒸气有毒。
四、用途：
电子级三溴化硼用于半导体集成电路、太阳能电池、半导体分离器件等行业中作为P型掺杂源，通过热扩散对晶体硅进行P型掺杂。其次，三溴化硼还是制造高纯硼及其他有机硼化物的原料。CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /AtomicLayer Depostion )化学气相沉积材料
Dielectrics PMD/IMD | TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB |
Low K Dielectrics | 4MS ,OMCATS |
High K Dielectrics | TAETO (Ta2O5 Precursor ) TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor) TMA (Al2O3 Precursor) |
Metal Gate and Interconnect Metal | TDMAT (TiN Precursor ) TiCl4 ( Ti /TiN Precursor ) |
Low-Temp Nitride/Oxide | HCDS |
Diffusion | POCl3 |
供应半導體化學氣相沉積材料，專業研發及製造各種先進 CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料。
CVD Precursor(化学气相沉积材料)
TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB
CVD Precursor(化學氣相沉積材料)
TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material
TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等。
